特許
J-GLOBAL ID：200903003926098955

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
佐々木 知也

佐々木 知也 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-279490
公開番号（公開出願番号）：特開2006-091677
出願日： 2004年09月27日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：
【課題】 高エネルギー線、X線、電子線あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なラインエッジラフネス、良好な露光ラチチュードを同時に満足するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【解決手段】 少なくとも2種の特定構造を有する繰り返し単位を含み、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂および活性光線または放射線の作用により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)一般式(I)で示される繰り返し単位及び一般式(II)で示される繰り返し単位を有する、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び、 (B)活性光線または放射線の作用により酸を発生する化合物 を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (4件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 504 ,  G03F7/033 ,  H01L21/30 502R
Fターム (18件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC03 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB45 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17
引用特許：
出願人引用 (7件)
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