特許

J-GLOBAL ID：200903003934228469

半導体装置

発明者： 浅野 勝則 ,  菅原 良孝 ,  中山 浩二
出願人/特許権者： 関西電力株式会社
代理人 (2件)： 山崎 宏 ,  田中 光雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-312544
公開番号（公開出願番号）：特開2008-072149
出願日： 2007年12月03日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：

【課題】ワイドギャップ半導体のフリーホイーリングダイオードに外付けで並列に接続されるスナバコンデンサをなくすこと。【解決手段】ヒートシンク上に設けられた、所定の面積を有する誘電体と、前記誘電体を挟んで対向する2つの導電体を有するコンデンサ、前記コンデンサの上に設けられたダイオード素子及び前記ダイオード素子に並列に接続された抵抗器を有する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

ヒートシンク上に設けられた、所定の面積を有する誘電体と、前記誘電体を挟んで対向する2つの導電体を有するコンデンサ、 前記コンデンサの上に設けられたダイオード素子及び 前記ダイオード素子に並列に接続された抵抗器 を有する半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (1件)：

H01L25/04 C

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平3-108749号公報
  
• 特開平3-145756号公報
  
• 電力用半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-101971   出願人：株式会社三社電機製作所

審査官引用 (2件)

• パワー素子とスナバ素子の接続構造及びその実装構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-057837   出願人：日産自動車株式会社
• 半導体装置、その製造方法及びフレキシブルカード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-235016   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社