インジウムイオンビームの発生方法および関連装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-343395
公開番号（公開出願番号）：特開2002-150959
出願日： 2000年11月10日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】インジウムイオンビームを安定した量で発生させることのできる手段を提供する。【解決手段】このイオン源2は、固体材料6を加熱して蒸気8を発生させる加熱炉4と、この蒸気8を電離させてプラズマ24を生成するプラズマ生成容器16とを有していて、イオンビーム30を発生させるものである。この固体材料6として、フッ化インジウムを600°C以上1170°C未満の温度で一旦加熱したものを用いる。これによって、インジウムイオンビームを安定した量で発生させることができる。また、固体材料6として、In(OF)xF3-x (xは1、2または3)を用いても良い。

請求項（抜粋）：

インジウム化合物から成る固体材料を加熱してその蒸気を発生させる加熱炉および当該加熱炉から供給される蒸気を電離させてプラズマを生成するプラズマ生成容器を有するイオン源を用いてインジウムイオンビームを発生させる方法において、前記固体材料として、フッ化インジウムを600°C以上1170°C未満の温度で一旦加熱したものを用いることを特徴とするインジウムイオンビームの発生方法。

IPC (3件)：

H01J 27/02 , C23C 14/32 , H01J 37/08

FI (3件)：

H01J 27/02 , C23C 14/32 A , H01J 37/08

Fターム (7件)：

4K029CA07 , 4K029CA10 , 4K029DE01 , 4K029DE02 , 5C030DD05 , 5C030DE06 , 5C030DG09

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平3-013576
イオン源およびそのための蒸発器
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-112124 出願人：イートンコーポレーション
フッ化物薄膜の製造方法及びフッ化物薄膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-144471 出願人：株式会社ニコン

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