粒状シリコン結晶の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-261837
公開番号（公開出願番号）：特開2004-099357
出願日： 2002年09月06日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】多結晶シリコンを安定して高効率に単結晶化すると同時に、炭素不純物濃度が低減化された高品質な粒状シリコン結晶の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】粒状シリコンを雰囲気ガス中で加熱して表面に前記ガスの成分を含む珪素化合物から成る被膜を形成して内部を溶融してシリコン融液とした後、降温して凝固させる粒状シリコン結晶の製造方法であって、上記被膜の一部から上記シリコン融液の一部を排出して微小突起を形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

粒状シリコンを雰囲気ガス中で加熱して表面に前記ガスの成分を含む珪素化合物から成る被膜を形成して内部を溶融してシリコン融液とした後、降温して凝固させる粒状シリコン結晶の製造方法において、前記被膜の一部から前記シリコン融液の一部を排出して凝固させて微小突起を形成することを特徴とする粒状シリコン結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C01B33/02 , H01L31/04

FI (2件)：

C01B33/02 E , H01L31/04 H

Fターム (16件)：

4G072AA01 , 4G072BB12 , 4G072GG03 , 4G072HH01 , 4G072MM38 , 4G072NN01 , 4G072RR12 , 4G072UU02 , 5F051AA02 , 5F051CB02 , 5F051CB29 , 5F051DA01 , 5F051DA03 , 5F051FA02 , 5F051FA10 , 5F051GA02

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭58-055393
特開昭63-079794
特開昭54-015662

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