特許
J-GLOBAL ID：200903004014496832
冷電子放出素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-055671
公開番号（公開出願番号）：特開平10-255645
出願日： 1997年03月11日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 簡単な構成で電流安定性に優れた冷電子放出素子を提供する。【解決手段】 冷電子放出素子は、絶縁基板上に形成された半導体薄膜の一端に設けられた突起部からなり鋭利な先端を有するエミッタと、半導体薄膜の他端に設けられたカソード電極と、エミッタとカソード電極の間に設けられ、半導体薄膜を流れる電流を制御するための少なくとも1個のゲート電極と、エミッタを除いて半導体薄膜、カソード電極、およびゲート電極を覆う絶縁層と、絶縁層上に前記エミッタの先端を囲んで形成された引き出し電極を有する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成された半導体薄膜の一端に設けられた突起部からなり鋭利な先端を有するエミッタと、前記半導体薄膜の他端に設けられたカソード電極と、前記エミッタと前記カソード電極の間に設けられ、前記半導体薄膜を流れる電流を制御するための少なくとも1個のゲート電極と、前記エミッタを除いて前記半導体薄膜、前記カソード電極、および前記ゲート電極を覆う絶縁層と、該絶縁層上に前記エミッタの先端を囲んで形成された引き出し電極を有することを特徴とする電界放射型の冷電子放出素子。
引用特許：
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