特許
J-GLOBAL ID:200903004020379295

投影露光用フォトマスク、そのマスクデータの生成方法、そのフォトマスクを用いた投影露光方法及び半導体素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 池内 寛幸 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-027991
公開番号(公開出願番号):特開平10-221837
出願日: 1997年02月12日
公開日(公表日): 1998年08月21日
要約:
【要約】【課題】 従来のフォトマスクの製造工程を利用して、高精度にかつ広範囲に焦点位置を制御することのできる投影露光用フォトマスクを実現し、このフォトマスクを用いることにより、段差を有する半導体基板上に所望のパターンを形成する。【解決手段】 投影露光用フォトマスクの開口パターンの少なくとも1つを、前記開口パターンの周辺部に対称に配置された微小開口パターンによって置き換える。これにより、開口パターンの周辺部に対称に配置された状態で置き換えられた微小開口パターンを透過する光の焦点位置を、前記開口パターンを透過する光の本来の焦点位置からずれた場所に存在させる。
請求項(抜粋):
半導体素子の製造工程で用いられる投影露光用フォトマスクであって、開口パターンの少なくとも1つが、前記開口パターンの周辺部に対称に配置された微小開口パターンによって置き換えられたことを特徴とする投影露光用フォトマスク。
IPC (3件):
G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027
FI (4件):
G03F 1/08 D ,  G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P
引用特許:
審査官引用 (24件)
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