特許
J-GLOBAL ID：200903004036898306
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-367959
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172597
出願日： 2003年10月28日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
【課題】薄く、安価であり、かつ信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置1は、電極部104を備えた半導体素子103と、絶縁層101と、絶縁層101に設けられた電極部接続用電極102と、絶縁層101に設けられ電極部接続用電極102と電気的に接続された外部電極107とを備えた配線基板108とを含み、電極部104と電極部接続用電極102とが電気的に接続された半導体装置1であって、絶縁層101の弾性率が0.1GPa以上5GPa以下であり、電極部104と電極部接続用電極102とが金属接合されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電極部を備えた半導体素子と、
絶縁層と、前記絶縁層に設けられた電極部接続用電極と、前記絶縁層に設けられ前記電極部接続用電極と電気的に接続された外部電極とを備えた配線基板とを含み、
前記電極部と前記電極部接続用電極とが電気的に接続された半導体装置であって、
前記絶縁層の弾性率が0.1GPa以上5GPa以下であり、
前記電極部と前記電極部接続用電極とが金属接合されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F044KK01
, 5F044KK13
, 5F044LL05
, 5F044QQ06
