特許
J-GLOBAL ID：200903096458874738
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-340231
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181119
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 バンプを半導体素子上に形成したときの接合不良の発生を防止し、信頼性が劣化するおそれを解消する。【解決手段】 半導体素子11と半導体キャリア13との接合を導電性接着剤等の接着手段を用いず、半導体キャリア13上に形成したバンプ電極15と、半導体素子11上の電極パッド12とを金属接合したものであり、従来のように封止樹脂16の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有した導電性接着剤等がキャリア/素子の隙間に存在せず、耐熱性、耐湿性等の信頼性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
上面に複数の電極と、前記電極を引き回す配線パターンと、底面に配列され、前記電極と導通した外部電極端子とを有した半導体キャリアと、前記半導体キャリア上面に接合された半導体素子と、前記半導体キャリア上の電極上に設けられ、半導体キャリアと前記半導体素子上の電極パッドとを接合した複数のバンプ電極と、前記半導体素子と前記半導体キャリアとの間隔と前記半導体素子周辺端部とを充填被覆している樹脂とよりなる半導体装置。
引用特許：
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