特許
J-GLOBAL ID：200903004048951245

薄膜形成装置及び薄膜形成方法

発明者：
菅原 智明

菅原 智明 について

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田中 正治

田中 正治 について

, 
佐藤 達哉

佐藤 達哉 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-213532
公開番号（公開出願番号）：特開2000-034564
出願日： 1998年07月13日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、ターゲットにDC電圧とRF電圧を重畳させて印加する放電方式において、異常放電の発生を抑制し、正規の放電状態への迅速な復帰が可能な薄膜形成装置及び薄膜形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 反応性スパッタ装置において、ターゲット16を搭載するスパッタ電極14には、DC電源38及びマッチングボックス40を介したRF電源42が接続され、これらDC電源38及びRF電源42は同期制御回路44に接続されている。そして、ITO薄膜をスパッタ形成する際、DC電流IDC及びRF反射電力PRFが急増しているか否かをチェックし、急増している場合には、異常放電が発生しているとして同期制御回路44を作動させ、DC電源38及びRF電源42からターゲット16に供給されているDC出力電力及びRF出力電力を同期して停止する。これにより、異常放電を消滅させる。
請求項（抜粋）：
スパッタ法により非絶縁性の薄膜を形成する際に、真空槽内に設置した非絶縁性のターゲットに直流電力と高周波電力とを重畳させて供給して、前記ターゲットの表面近傍にプラズマを発生させる薄膜形成装置であって、前記ターゲットに供給する直流電力及び高周波電力を同期して減少又は停止させるための同期制御回路が設置されていることを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (5件)：
C23C 14/44 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/54 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/203
FI (5件)：
C23C 14/44 ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/54 B ,  H01B 13/00 503 B ,  H01L 21/203 S
Fターム (20件)：
4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BC03 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029DC02 ,  4K029DC05 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029DC40 ,  4K029EA09 ,  5F103AA08 ,  5F103BB59 ,  5F103DD30 ,  5F103LL20 ,  5F103RR10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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