特許
J-GLOBAL ID：200903004050020178
光通信システム
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-053217
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261389
出願日： 2001年02月27日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【課題】 簡単な駆動機構で半導体レーザを制御することが可能な光通信システムを提供する。【解決手段】 本発明における長波長帯面発光半導体レーザは、従来の半導体レーザと異なり温度変化によるしきい値電流の変動が非常に小さいため、駆動電流を一定にして半導体レーザを駆動すると温度変化を含めた光出力の変動幅は大きくならず、一般に定電流電源は簡単な構成の回路を用いても容易に定電流制御が可能である。光出力に上下限を設定し、想定する温度の上下限により、光出力上限と温度下限とにより得られる電流aと、光出力下限と温度上限とにより得られる電流bとの範囲内で電流を一定値xで制御すれば光出力範囲の出力を得ることができる。
請求項（抜粋）：
レーザチップと該レーザチップと接続される光通信システムにおいて、前記レーザチップは発振波長が1.1μm〜1.7μmであり、光を発生する活性層を、主たる元素がGa、In、N、Asからなる層、もしくはGa、In、Asよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡はそれを構成する材料層の屈折率が小/大と周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As(0<x≦1)とし、前記屈折率が大の材料層はAl<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>As(0≦y<x≦1)とした反射鏡であり、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとる材料層Al<SB>z</SB>Ga<SB>1-z</SB>As(0≦y<z<x≦1)を設けてなる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とした光通信システムであって、定電流電源を用い、光出力の上限と下限を設定し、想定する温度上限と下限により光出力上限と温度下限により電流-光出力特性から得られる電流aと光出力下限と温度上限により電流-光出力特性から得られる電流bの範囲内の電流値で前記半導体レーザを制御することを特徴とする光通信システム。
IPC (4件)：
H01S 5/183
, H04B 10/14
, H04B 10/06
, H04B 10/04
5F073AA51
, 5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073BA02
, 5F073CA07
, 5F073CA17
, 5F073DA05
, 5F073DA14
, 5F073DA27
, 5F073DA35
, 5F073EA15
, 5F073GA12
, 5K002AA07
, 5K002BA13
, 5K002CA11
