特許
J-GLOBAL ID：200903038315430880
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-218981
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332363
出願日： 1999年08月02日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 結晶性の劣化が防止された高性能な長波長の半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に、歪み量子井戸層(発光層)2を含む活性層3と、光とキャリアを閉じ込めるクラッド層4とが形成されており、半導体基板1およびクラッド層4に対する歪み量子井戸層2の歪み量が2%を超える歪み量となっている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、歪み量子井戸層を含む活性層と、光とキャリアを閉じ込めるクラッド層とが形成されている半導体発光素子において、半導体基板およびクラッド層に対する前記歪み量子井戸層の歪み量が2%を超える歪み量となっていることを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (15件)：
5F073AA05
, 5F073AA45
, 5F073AA73
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073AB17
, 5F073BA02
, 5F073CA07
, 5F073CA17
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA27
, 5F073EA04
, 5F073EA23
, 5F073EA28
