特許
J-GLOBAL ID：200903004079562930

薄膜製造装置及び薄膜製造方法

発明者：
田淵 勝也

田淵 勝也 について


出願人/特許権者：
富士電機システムズ株式会社

富士電機システムズ株式会社 について


代理人 (1件)： 天田 昌行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-244466
公開番号（公開出願番号）：特開2009-076690
出願日： 2007年09月20日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：
【課題】可撓性基板の利用率を向上させることができる薄膜製造装置及び薄膜製造方法を提供すること。【解決手段】長尺の可撓性基板111上の長手方向の複数の領域に対してそれぞれ成膜処理を施して複数の成膜領域を形成することにより、可撓性基板111上に複数の薄膜太陽電池を形成する薄膜製造装置100であって、複数の領域に対してそれぞれ成膜処理を施すことにより、長手方向に同じ長さの成膜領域をそれぞれ形成すると共に、成膜領域の長さL1の整数倍の間隔で配置された複数の成膜室131〜135と、可撓性基板111を成膜室131〜135の配置間隔ごとに順次ステップ送りする駆動手段とを具備する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
長尺の可撓性基板上の長手方向の複数の領域に対してそれぞれ成膜処理を施して複数の成膜領域を形成することにより、前記可撓性基板上に複数の薄膜太陽電池を形成する薄膜製造装置であって、 前記複数の領域に対してそれぞれ成膜処理を施すことにより、前記長手方向に同じ長さの前記成膜領域をそれぞれ形成すると共に、前記成膜領域の長さの整数倍の間隔で配置された複数の成膜室と、 前記可撓性基板を前記成膜室の配置間隔ごとに順次ステップ送りする駆動手段と を具備したことを特徴とする薄膜製造装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 14/56 ,  C23C 16/44 ,  H01L 31/04
FI (4件)：
H01L21/205 ,  C23C14/56 A ,  C23C16/44 F ,  H01L31/04 T
Fターム (60件)：
4K029AA11 ,  4K029AA25 ,  4K029BA04 ,  4K029BA35 ,  4K029BA50 ,  4K029BB10 ,  4K029CA05 ,  4K029DA08 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029DC34 ,  4K029JA10 ,  4K029KA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA14 ,  4K030HA03 ,  4K030HA04 ,  4K030KA08 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AE19 ,  5F045AF01 ,  5F045AF11 ,  5F045BB08 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DA57 ,  5F045DP22 ,  5F045DQ15 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB10 ,  5F045EB11 ,  5F045EC01 ,  5F045EH14 ,  5F045EK07 ,  5F045EN04 ,  5F045EN06 ,  5F045HA23 ,  5F045HA24 ,  5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA13 ,  5F051CA16 ,  5F051CA22 ,  5F051CA26 ,  5F051DA17 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA05
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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