特許
J-GLOBAL ID：200903004105160470
不揮発性強誘電体メモリ装置及びその駆動方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-327821
公開番号（公開出願番号）：特開2003-281882
出願日： 2002年11月12日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】 一つのメモリセルが従来の複数個のメモリセルの役割を果たすようにすることで、チップサイズを減らすと共に、チップのコスト競争力を高められるようにした不揮発性強誘電体メモリ装置及びその駆動方法を提供する。【解決手段】 上部と下部とに分けて構成される第1セルアレイブロック及び第2セルアレイブロックと、前記第1,第2セルアレイブロックの間に各マルチプルビットライン当たり一つずつ配列されるセンスアンプと、前記各マルチプルビットラインの両先端にデータバスと連結され、前記センスアンプの出力をエンコーディングしてマルチビット信号を出力するデータI/Oエンコーダと、前記第1,第2セルアレイブロックとデータI/Oエンコーダとの間に配列される第1,第2参照セルアレイブロックとから構成されることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
上部と下部とに分けて構成される第1セルアレイブロック及び第2セルアレイブロックと、前記第1,第2セルアレイブロックの間に各マルチプルビットライン当たり一つずつ配列されるセンスアンプと、前記各マルチプルビットラインの両先端にデータバスと連結され、前記センスアンプの出力をエンコーディングしてマルチビット信号を出力するデータI/Oエンコーダと、前記第1,第2セルアレイブロックとデータI/Oエンコーダとの間に配列される第1,第2参照セルアレイブロックと、から構成されることを特徴とする不揮発性強誘電体メモリ装置。
引用特許：
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