特許
J-GLOBAL ID：200903004112299530
マスクブランクス、および転写マスクの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横沢 志郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-305292
公開番号（公開出願番号）：特開2007-114451
出願日： 2005年10月20日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：
【課題】 65nm以下といった微細なデザインルールに対応することができるマスクブランクスおよび転写マスクを提供すること。【解決手段】 透光性基板11上に遮光性膜12およびレジスト膜14が積層されたマスクブランクス1において、塩素系ガスを含むエッチングガスを用いたドライエッチングにおけるレジスト膜13のエッチング速度が、当該ドライエッチングにおける遮光性膜12のエッチング速度の0.5倍以下である。このため、ライン幅あるいはスペース幅が65nm程度のデザインルールに対応する際、レジスト膜14の現像時にレジストパターン140の倒壊が発生しないようにレジスト膜14の膜厚を低減してアスペクト比を4以下、好ましくは3以下に抑えた場合でも、遮光性膜12のエッチングが完了するまで、レジストパターン140はエッチングされずマスクとしての機能を発揮する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも転写パターンとなる薄膜又は転写パターンを形成するための薄膜と、レジスト膜とが積層されたマスクブランクスにおいて、
塩素系ガスを含むエッチングガスを用いたドライエッチングにおける前記レジスト膜のエッチング速度が当該ドライエッチングにおける前記薄膜のエッチング速度の0.5倍以下であることを特徴とするマスクブランクス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F1/08 L
, H01L21/30 502P
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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リソグラフィーエッチング方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-122819
出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
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マスクブランク、及びマスク
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-304025
出願人：HOYA株式会社
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特開平2-244625
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