特許
J-GLOBAL ID：200903058292279764
パターン形成方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法、及び薄膜磁気ヘッド
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-374839
公開番号（公開出願番号）：特開2003-177549
出願日： 2001年12月07日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】 高アスペクト比パターニングを高精度で行うことができ、高記録密度化を実現した薄膜磁気ヘッド等を提供する。【解決手段】 アルチック基板1上に下部シールド2、磁気抵抗効果ヘッド6、上部シールド3、ライトギャップ層9等を堆積形成した後、ライトギャップ層9上にめっきベースとなるNiFe等の磁性薄膜13を成膜し、この磁性薄膜13上にKrFエキシマレーザ光に対する透過率を望ましくは80%以上とした化学増幅型ネガ型レジスト14を塗布する。そして、KrFエキシマレーザ光をレベンソン型位相シフトマスク100を介して化学増幅型ネガ型レジスト14に照射し、アルカリ性の現像液に浸漬させて化学増幅型ネガ型レジスト14に開口パターン14aを形成して、その開口パターン14aにめっき法により書き込み用磁極11をなすCoNiFe等の磁性膜15を形成する。
請求項（抜粋）：
所定膜上に露光光に対する透過率を高めたネガ型レジストを成膜する工程と、上記露光光をレベンソン型位相シフトマスクを介して上記ネガ型レジストに照射する工程と、現像液に浸漬させて上記ネガ型レジストを上記レベンソン型位相シフトマスクに倣ったパターンに加工する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/20 501
, G03F 1/08
, G03F 7/004 511
, G11B 5/31
G03F 7/20 501
, G03F 1/08 A
, G03F 7/004 511
, G11B 5/31 C
, G11B 5/31 M
2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB17
, 2H025AB20
, 2H025AC08
, 2H025AD01
, 2H025BC13
, 2H025BC42
, 2H095BA12
, 2H095BB03
, 2H097CA13
, 2H097FA01
, 2H097JA02
, 2H097LA20
, 5D033BA12
, 5D033DA04
, 5D033DA07
, 5D033DA31
