特許
J-GLOBAL ID：200903004156688186
GaN系半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-307677
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145515
出願日： 1997年11月10日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 転位線に電極材料が入り込むことを抑制し、ショートの発生・発光特性の劣化を減少させる製造方法を提供し、より長寿命のGaN系発光素子を提供すること。【解決手段】 ベース基板1を最下層とし、その上にGaN系結晶からなる層を順次成長させ、発光層S2を含む積層体Sを形成する。積層体のいずれかの層を転位線制御層(図では層S4)とする。転位線制御層は、マスク層を設けた面に成長させた層であって、非マスク領域11を成長の出発面とし、C軸方向への成長速度とC軸に垂直な方向への成長速度との比を制御されてマスク層上面を覆うまで成長してなる。転位線制御層によって転位線L2の伝搬経路を制御し、それによって上部電極形成面のうちの低転位とされた領域に上部電極を設ける。
請求項（抜粋）：
GaN系結晶がC軸を厚み方向として成長可能なベース基板を最下層とし、その上に、GaN系結晶からなり発光層を含む複数の層が順次成長し積み重なって積層体が形成され、これにp型電極、n型電極が設けられた構成を有する半導体発光素子であって、両電極のうち発光層よりも上層側に設けられる上部電極の形成面を除いてその面よりも下層側の各層上面のいずれかの面には、マスク領域と非マスク領域とを形成するようにマスク層が設けられ、マスク層の材料はそれ自身の表面からは実質的にGaN系結晶が成長し得ない材料であり、マスク層を覆う層は、非マスク領域を成長の出発面とし、C軸方向への成長速度とC軸に垂直な方向への成長速度との比を制御されてマスク層上面を覆うまで成長してなる層であり、この層を転位線制御層と呼ぶとし、上部電極形成面のうち、転位線制御層によって低転位とされた領域内に、上部電極が設けられていることを特徴とするGaN系半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/20
, H01L 21/205
H01L 33/00 C
, H01L 21/20
, H01L 21/205
