特許
J-GLOBAL ID：200903017493987360
半導体基板および半導体基板の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-306215
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162847
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】結晶欠陥密度の低いIII族窒化物半導体露出基板の形成。【解決手段】III族窒化物半導体単結晶露出基板上に結晶化温度より低い温度でIII族窒化物半導体の薄膜を低温堆積した後、該薄膜を単結晶化し、その上に所望III族窒化物半導体単結晶薄膜を成長させて改良された露出基板を得た。
請求項（抜粋）：
一のIII族窒化物半導体露出基板上に、順次形成される第1、第2のIII族窒化物半導体単結晶薄膜(以下単結晶薄膜と称する)からなる対構造を1つあるいは複数備える基板であって、第1の単結晶薄膜が結晶欠陥密度緩衝薄膜として機能し、第2の単結晶薄膜の結晶欠陥密度が前記一のIII族窒化物半導体露出基板表面に露出するIII族窒化物半導体単結晶の結晶欠陥密度よりかなり低いことを特徴とする半導体基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/20
, H01L 33/00 C
