半導体集積回路、メモリモジュール、記憶媒体、及び半導体集積回路の救済方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：玉村静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-320962
公開番号（公開出願番号）：特開2000-149588
出願日： 1998年11月11日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】大規模集積回路の欠陥に対して救済効率を向上させる。【解決手段】夫々データバス(16)を共有する中央処理装置(10)、電気的に書き換え可能な不揮発性メモリ(11)及び揮発性メモリ(12,13)を有し、揮発性メモリの欠陥救済に不揮発性メモリの記憶情報を利用する。揮発性メモリは、冗長メモリセルによって不良の正規メモリセルを救済するための救済情報をラッチする揮発性記憶回路(12AR,13AR)を有する。不揮発性メモリは、半導体集積回路を初期化する指示に応答して救済情報を不揮発性メモリから読み出す。揮発性記憶回路は、初期化の指示に応答して、不揮発性メモリからの救済情報をラッチする。欠陥救済にヒューズプログラム回路が不用になり、バーン・インの後に発生した欠陥も新たに救済でき、回路基板にう実装後も新たな欠陥に対して救済可能である。

請求項（抜粋）：

電気的に書き換え可能にされかつ制御処理装置によってアクセス可能にされた不揮発性メモリと、前記制御処理装置によってアクセス可能にされた揮発性メモリとを有する半導体集積回路であって、前記揮発性メモリは、第1の揮発性メモリセルと第2の揮発性メモリセルを複数個有すると共に、前記第2の揮発性メモリセルによって前記第1の揮発性メモリセルを置き換えるための結合制御情報を保持する揮発性記憶回路を有し、前記不揮発性メモリは、複数個の不揮発性メモリセルを有し、その一部は前記結合制御情報を記憶する不揮発性メモリセルとされ、結合制御情報の読み出し設定動作の指示に応答して前記結合制御情報を不揮発性メモリセルから読み出して出力し、前記揮発性記憶回路は、前記読み出し設定動作の指示に応答して、不揮発性メモリからの結合制御情報をラッチするものであることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (8件)：

G11C 29/00 603 , G06F 15/78 510 , G11C 11/413 , G11C 11/401 , G11C 16/02 , G11C 16/06 , H01L 27/115 , H01L 27/10 461

FI (10件)：

G11C 29/00 603 J , G06F 15/78 510 A , H01L 27/10 461 , G11C 11/34 341 C , G11C 11/34 341 A , G11C 11/34 371 D , G11C 17/00 601 Q , G11C 17/00 601 E , G11C 17/00 639 Z , H01L 27/10 434

Fターム (48件)：

5B015JJ11 , 5B015KB36 , 5B015KB85 , 5B015NN02 , 5B015NN09 , 5B015RR07 , 5B024AA03 , 5B024AA15 , 5B024BA21 , 5B024BA27 , 5B024CA07 , 5B024CA27 , 5B024DA08 , 5B024EA01 , 5B025AA00 , 5B025AD10 , 5B025AD15 , 5B025AE08 , 5B025AE09 , 5B062AA10 , 5B062CC02 , 5B062DD05 , 5B062DD10 , 5F083AD00 , 5F083BS00 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083ER03 , 5F083ER09 , 5F083ER14 , 5F083ER15 , 5F083ER22 , 5F083ER30 , 5F083LA10 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083ZA10 , 5F083ZA13 , 5F083ZA14 , 5F083ZA28 , 5L106AA01 , 5L106AA02 , 5L106AA10 , 5L106AA16 , 5L106CC31 , 5L106DD24 , 5L106DD25 , 5L106DD36

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-290424 出願人：松下電器産業株式会社
特許第3848004号
特開平4-274096

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