特許
J-GLOBAL ID：200903070767290059

不揮発性メモリ

発明者：
有賀 理恵

有賀 理恵 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-035288
公開番号（公開出願番号）：特開平11-232895
出願日： 1998年02月18日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 不揮発性メモリにおいて、組立後の検査で、冗長救済を行うことを可能とし、さらに冗長の回路構成を簡略化することを目的とする。【解決手段】 少なくとも2ビット以上の不揮発性メモリアレイの一部からなり、冗長情報を格納する冗長情報格納メモリセルアレイ12と、冗長回路19を備え、冗長情報格納メモリセルアレイ12に格納された冗長情報に基づいて、冗長回路19により、列アドレスの情報によって不良列アドレスを冗長列アドレスに置き換え、行アドレスの場合は行アドレスとデータのビット位置の情報によって不良データ位置の行アドレスを冗長行アドレスに置き換えることにより、不揮発性メモリを利用して冗長救済をおこなうため、特別な装置を必要とすることなく、ウエハー状態の検査では、冗長回路で置き換えの可能な不良ビットを有することを確認し、組立後の検査で、冗長救済を行うことができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも2ビット以上の不揮発性メモリアレイを備え、前記不揮発性メモリアレイの一部を、冗長メモリアレイと冗長情報を格納する冗長情報格納メモリアレイとし、前記冗長情報格納メモリアレイに、不良ビットが見出されたメインメモリアレイの情報を格納し、前記冗長情報格納メモリアレイに格納された冗長情報に基づいて前記メインメモリアレイを前記冗長メモリアレイに置き換える冗長回路を備えたことを特徴とする不揮発性メモリ。
IPC (2件)：
G11C 29/00 603 ,  G11C 16/06
FI (2件)：
G11C 29/00 603 H ,  G11C 17/00 639 A
引用特許：
審査官引用 (4件)
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