特許

J-GLOBAL ID：200903004266719427

シリコン単結晶基板並びにエピタキシャルシリコンウエハおよびその製造方法

発明者： 北原 功一 ,  中居 克彦 ,  太田 泰光 ,  田中 正博 ,  大橋 渡
出願人/特許権者： ワッカー・エヌエスシーイー株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-246500
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064102
出願日： 2000年08月15日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】 エピタキシャル層に欠陥が発生せず、酸化膜絶縁耐性、ゲッタリング特性を備えたエピタキシャルウエハ用シリコン単結晶基板並びにエピタキシャルウエハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 5×1012atoms/cm3以上1×1015atoms/cm3以下の窒素原子と1.8×1018atoms/cm3以上のボロン原子を含有してなる、チョクラルスキー法により製造されたシリコン単結晶基板、並びに該シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長させたエピタキシャルウエハおよびその製造方法。

請求項（抜粋）：

5×1012atoms/cm3以上1×1015atoms/cm3以下の窒素原子と1.8×1018atoms/cm3以上のボロン原子を含有してなる、チョクラルスキー法により製造されたシリコン単結晶基板。

IPC (5件)：

H01L 21/322 ,  C30B 15/04 ,  C30B 29/06 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

FI (5件)：

H01L 21/322 Y ,  C30B 15/04 ,  C30B 29/06 A ,  C30B 29/06 502 H ,  H01L 21/208 P

Fターム (17件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077DB01 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EH09 ,  5F053AA12 ,  5F053AA33 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053KK03 ,  5F053KK10 ,  5F053RR03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• シリコン半導体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-084916   出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
• エピタキシャルシリコンウエーハおよびその製造方法並びにエピタキシャルシリコンウエーハ用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-023765   出願人：信越半導体株式会社
• 窒素ドープした低欠陥シリコン単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-188227   出願人：信越半導体株式会社
• シリコン単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-312819   出願人：コマツ電子金属株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Bulk properties of very large diameter silicon single crystals"