窒素ドープした低欠陥シリコン単結晶の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-188227
公開番号（公開出願番号）：特開2000-007498
出願日： 1998年06月18日
公開日（公表日）： 2000年01月11日
要約：

【要約】【課題】高速下に制御幅が広く、制御し易い製造条件の下で、結晶の全面の領域において極低欠陥密度で、特に小ピットを排除した、酸化膜耐圧特性に優れたCZ法によるシリコン単結晶ウエーハを高生産性を維持して製造する。【解決手段】チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際に、引上げ速度を徐々に下げながら引上げた時、引上げ速度V1[mm/min]でOSFリングが結晶の中央で消滅した場合に、用いた装置のシリコンの融点から1400°Cの間の結晶の成長軸方向の平均温度勾配G[K/mm]を使用して、V1〜V1+0.062×Gの範囲内の引上げ速度で、窒素をドープしながら結晶を引上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際に、引上げ速度を徐々に下げながら引上げた時、引上げ速度V1[mm/min]でOSFリングが結晶の中央で消滅した場合に、用いた装置のシリコンの融点から1400°Cの間の結晶の成長軸方向の平均温度勾配G[K/mm]を使用して、V1〜V1+0.062×Gの範囲内の引上げ速度で、窒素をドープしながら結晶を引上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 502 , H01L 21/208

FI (2件)：

C30B 29/06 502 H , H01L 21/208 P

Fターム (23件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077BA04 , 4G077CF00 , 4G077EB01 , 4G077EB04 , 4G077EH05 , 4G077EH07 , 4G077EH09 , 4G077FE11 , 4G077HA12 , 5F053AA13 , 5F053AA33 , 5F053AA46 , 5F053BB04 , 5F053BB13 , 5F053DD01 , 5F053FF04 , 5F053GG01 , 5F053KK10 , 5F053LL10 , 5F053PP03 , 5F053RR03

引用特許：

審査官引用 (3件)

低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-201762 出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
シリコン中の酸素の精密制御析出
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-056054 出願人：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
シリコンウエーハ及び結晶育成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-367705 出願人：住友金属工業株式会社

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