発光装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-285892
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101076
出願日： 2001年09月19日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】発光ダイオードで発生する熱の放熱効率を高めることにより発光効率の低下を防止し劣化を抑制した発光装置を提供する。【解決手段】発光ダイオードチップ2が配線基板1にフェースダウン実装により実装される。配線基板1は、内部に絶縁層13を備えた埋込溝11aを有し、埋込溝11aには絶縁層13を介して埋込導体12が埋め込まれる。埋込導体12の一部は導体板11の一面に露出し、発光ダイオードチップ2の各電極に接続される。したがって、発光ダイオードチップ2は導体板11に近接して配置され、導体板11を通して効率よく放熱される。

請求項（抜粋）：

配線基板にフェースダウン実装により発光ダイオードチップを実装した発光装置であって、配線基板が、内部に絶縁層を形成した凹所を有する導体板と、絶縁層を介して凹所に埋め込まれ一部が導体板の表面に露出する埋込導体とからなり、発光ダイオードチップの少なくとも一方の電極が埋込導体に電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H05K 7/20

FI (2件)：

H01L 33/00 N , H05K 7/20 C

Fターム (10件)：

5E322AA11 , 5E322AB06 , 5E322AB07 , 5E322EA11 , 5F041AA33 , 5F041CA77 , 5F041DA04 , 5F041DA09 , 5F041DA13 , 5F041DA20

引用特許：

審査官引用 (4件)

窒化物半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-028840 出願人：日亜化学工業株式会社
特開昭60-175476
光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-020035 出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社

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