半導体装置の多層配線及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野口繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-031567
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204010
出願日： 1995年01月27日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】 Alを用いた多層配線においてエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。【構成】シリコン基板20上に、第1の層間膜22を形成され、層間膜22にはコンタクトホール24が形成され、コンタクトホール24の内面及び層間膜22の表面には下層がTi膜で上層がTiN膜からなる2層膜26が被着されている。2層膜26上にはAl無加熱スパッタ膜26aとAl加熱スパッタ膜26bからなる1層目メタル配線28が形成されている。メタル配線28上には第2の層間膜30が形成され、層間膜30にはスルーホール32が形成され、スルーホール32の内面及び層間膜30の表面にはTi膜34が被着されている。Ti膜34上には1層目メタル配線28と同じ2層構造の2層目メタル配線36が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1の層間膜にホールが形成され、その第1の層間膜上にはそのホールを介して下地と接続される第1のメタル配線が形成され、第1のメタル配線上には第2の層間膜が形成され、その第2の層間膜に形成されたスルーホールを介して第1のメタル配線と接続される第2のメタル配線がその第2の層間膜上に形成されている多層配線において、第1の層間膜のホール内面には高融点金属膜及びその上の高融点金属窒化膜が形成され、第2の層間膜のスルーホール内面には高融点金属膜が形成され、第1、第2のメタル配線はAl無加熱スパッタ膜とその上のグレインサイズがAl無加熱スパッタ膜よりも大きいAl加熱スパッタ膜との2層構造であることを特徴とする半導体装置の多層配線。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/285 301 , H01L 21/318

引用特許：

審査官引用 (4件)

金属薄膜の成膜方法及びスパッタ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-305954 出願人：ソニー株式会社
特開平2-125431
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-001480 出願人：日本電気株式会社

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