特許
J-GLOBAL ID：200903052749935770
集積回路の金属化方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
湯浅 恭三 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-034491
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066205
出願日： 1994年03月04日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【構成】 半導体基体10の表面に絶縁層12を形成し、絶縁層12を貫通して基体10へ至る少なくとも1個の接点開口を形成し、基体10の表面上及び接点開口内にバリヤー金属層13、14、15を付着させ、バリヤー金属の大部分を接点開口の側面よりむしろ開口の底部に付着させ、バリヤー金属層13、14、15上に金属層16を冷間スパッターリングし、冷間スパッタード金属層16上に金属層18を熱間スパッターリングし、冷間スパッターリングと熱間スパッターリングとの連続操作によって、積層回路の金属化を完成させる。【効果】 合金22の形成により、空隙22が除去される。
請求項（抜粋）：
集積回路の金属化方法において、半導体基体の表面に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層を貫通して前記基体へ至る少なくとも1個の接点開口を形成する工程と、前記基体の表面上及び前記接点開口内にバリヤー金属層を付着させ、前記バリヤー金属の大部分を前記接点開口の側面よりむしろ前記開口の底部に付着させる工程と、前記バリヤー金属層上に金属層を冷間スパッターリングする工程と、前記冷間スパッタード金属層上に金属層を熱間スパッターリングし、前記冷間スパッターリングと前記熱間スパッターリングとの連続操作によって前記集積回路の前記金属化を完成させる工程とを含む前記方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, C23C 14/34
, H01L 21/285
審査官引用 (7件)
-
特開平4-264719
-
特開平2-133923
-
配線形成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-206121
出願人：ソニー株式会社
全件表示
前のページに戻る
