マスクパターンの補正方法、フォトマスク、露光方法、半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-053378
公開番号（公開出願番号）：特開2003-255508
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2003年09月10日
要約：

【要約】【課題】フォトマスクのマスクパターンを補正して、レジストパターンの角部の形状劣化(特に丸まり)を抑制し、レジストパターンを所望のパターンに近づけることができるマスクパターンの補正方法、フォトマスク、露光方法、及び半導体装置を提供すること。【解決手段】所望のメインマスクパターンを補正し、前記メインマスクパターンを用いて形成されるレジストパターンの角部の形状劣化を抑制するマスクパターンの補正方法であって、メインマスクパターン10が光透過領域となる場合、メインマスクパターン10の任意の隣り合う2つの角部20、22の夫々にインナーセリフ16を付加し、且つ前記2つの角部20、22に挟まれた縁部24にアウターセリフ18を付加する(ここで、メインマスクパターンが遮光領域となる場合、2つの角部20、22の夫々にはアウターセリフ18を付加し、縁部24にはインナーセリフ16を付加する。)マスクパターンの補正方法、フォトマスク、露光方法、及び半導体装置である。

請求項（抜粋）：

所望のメインマスクパターンを補正し、前記メインマスクパターンを用いて形成されるレジストパターンの角部の形状劣化を抑制するマスクパターンの補正方法であって、前記メインマスクパターンが光透過領域となる場合、前記メインマスクパターンの任意の隣り合う2つの角部の夫々にインナーセリフを付加し、且つ前記2つの角部に挟まれた縁部にアウターセリフを付加し、また、前記メインマスクパターンが遮光領域となる場合、前記メインマスクパターンの任意の隣り合う2つの角部の夫々にアウターセリフを付加し、且つ前記2つの角部に挟まれた縁部にインナーセリフを付加することを特徴とするマスクパターンの補正方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 , G03F 7/20 521 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 A , G03F 1/08 D , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 502 P

Fターム (2件)：

2H095BB01 , 2H095BB02

引用特許：

審査官引用 (4件)

反射型マスクおよびそれを用いたデバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-198355 出願人：株式会社日立製作所
光学的近接効果補正方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-339447 出願人：松下電器産業株式会社
蓄積エネルギー計算方法、プログラム記憶媒体、近接効果計算方法、マスク又はレチクルパターンの設計方法、及び半導体デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-310480 出願人：株式会社ニコン

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