露光パターンの補正方法および露光パターンの補正装置および露光マスクおよび露光方法並びに半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-286213
公開番号（公開出願番号）：特開平10-133358
出願日： 1996年10月29日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】図形数を増加せず高精度に露光パターンの補正を行うこと。【解決手段】本発明は、リソグラフィー工程において、所望の設計パターンPに近い転写イメージが得られるように露光パターンを変形させる方法であり、所望の設計パターンPの外形線を所定のルールに基づいて分割し、分割された各エッジEに対して複数個の評価点Hを付加する工程と、露光パターンの露光後のイメージをシミュレーションによって算出し、各エッジEの各評価点Hと露光後のイメージの各評価点Hと対応する位置との距離を各々算出する工程と、距離を所定の評価関数に入力し、評価関数の出力値に基づき各エッジEの位置を補正して、補正後の露光パターンを決定する工程とから成る。

請求項（抜粋）：

リソグラフィー工程において、所望の設計パターンに近い転写イメージが得られるように露光パターンを変形させる露光パターンの補正方法であって、前記所望の設計パターンの外形線を所定のルールに基づいて分割し、分割された各辺に対して複数個の評価点を付加する工程と、前記露光パターンの露光後のイメージをシミュレーションによって算出し、前記各辺の各評価点と該露光後のイメージの該各評価点と対応する位置との距離を各々算出する工程と、前記距離を所定の評価関数に入力し、該評価関数の出力値に基づき前記各辺の位置を補正して、補正後の露光パターンを決定する工程とを備えていることを特徴とする露光パターンの補正方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 T , H01L 21/30 502 W , H01L 21/30 502 P

引用特許：

審査官引用 (9件)

露光方法及び露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-285043 出願人：ソニー株式会社
特開平4-179952
マスクパターンの補正方法および補正装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-053053 出願人：ソニー株式会社

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