剥離ウエーハを再利用する方法および再利用に供されるシリコンウエーハ

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-131351
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307413
出願日： 1998年04月23日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】水素イオン剥離法において副生した剥離ウエーハに、適切な再処理を施して、実際にシリコンウエーハとして再利用することができる方法を提供し、特に剥離ウエーハの再処理における取り代を減少させ、エピタキシャルウエーハのように高価なウエーハを何回も再処理して、何度も再利用することができる方法を提供することによって、実際に高品質のSOI層を有するSOIウエーハの生産性の向上と、コストダウンを図る。【解決手段】水素イオン剥離法によってSOIウエーハを製造する際に副生される剥離ウエーハに、再処理を加えてシリコンウエーハとして再利用する方法において、前記再処理として少なくとも剥離ウエーハに周辺の段差を除去する研磨と、水素を含む還元性雰囲気下の熱処理を行うことを特徴とする剥離ウエーハを再利用する方法、およびこの方法で再処理された再利用に供されるシリコンウエーハ。

請求項（抜粋）：

水素イオン剥離法によってSOIウエーハを製造する際に副生される剥離ウエーハに、再処理を加えてシリコンウエーハとして再利用する方法において、前記再処理として少なくとも剥離ウエーハに周辺の段差を除去する研磨と、水素を含む還元性雰囲気下の熱処理を行うことを特徴とする剥離ウエーハを再利用する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 , H01L 21/265 , H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/02 Z , H01L 27/12 B , H01L 21/265 Q

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄い半導体材料フィルムの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-246594 出願人：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
半導体基板の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-041709 出願人：キヤノン株式会社
半導体基板の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-045441 出願人：キヤノン株式会社

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