特許

J-GLOBAL ID：200903004356002343

半導体基板の熱処理装置及び熱処理方法

発明者： 才野 耕作
出願人/特許権者： タツモ株式会社
代理人 (1件)： 板谷 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-330466
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148379
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板の熱処理装置及び熱処理方法において、処理室内雰囲気の低酸素濃度化を容易に実現し、従来では困難であった、基板上に形成する低誘電率(Low-k)層間絶縁膜で、特に塗布膜系の有機材料を適正に加熱処理することを可能とする。【解決手段】 密閉処理室11内はその雰囲気が不活性ガスで置換され、もって低酸素濃度雰囲気とされる。これにより、処理基板Wに塗布された低誘電率(Low-k)層間絶縁膜を形成するための薬液を加熱処理することが可能となり、また、加熱処理前後における基板温度を薬液の大気開放可能温度域以内に抑えることが可能で、過剰反応になることなく適正な処理が行える。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に低誘電率(Low-k)層間絶縁膜を形成するための薬液が塗布され、この薬液を加熱処理により焼結させる半導体基板の熱処理装置において、被処理基板の受渡しに際してのシャッタ開閉時以外は大気と遮断され、一連の熱処理を低酸素雰囲気で行うための密閉容器と、該密閉容器内の雰囲気を置換するために密閉容器内に不活性ガスを吐出する吐出手段、及び容器内雰囲気を排気する排気手段と、該密閉容器内に設けられ、前記基板に対して上面側に位置し前記基板を加熱処理するベークプレートと、該密閉容器内に設けられ、前記基板に対して下面側に位置し焼結後の高温の基板を薬液の大気開放可能な温度域まで冷却処理するクールプレートと、該密閉容器内に設けられ、前記加熱処理位置と冷却処理位置の間で基板を水平に保ったまま昇降が可能であって、さらに中間位置で基板の受渡しに際して停止可能な基板支持部材とを備えたことを特徴とする半導体基板の熱処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  F27D 7/06 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/31 E ,  F27D 7/06 B ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/30 567

Fターム (28件)：

4K063AA05 ,  4K063AA12 ,  4K063AA15 ,  4K063BA12 ,  4K063DA05 ,  4K063DA15 ,  4K063DA17 ,  4K063DA22 ,  5F045AF03 ,  5F045CB05 ,  5F045EB12 ,  5F045EB19 ,  5F045EE14 ,  5F045EJ02 ,  5F045EJ08 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK07 ,  5F045EM10 ,  5F045EN04 ,  5F046KA04 ,  5F046KA07 ,  5F058BF46 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BG04 ,  5F058BH02 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ベーキング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-157075   出願人：ソニー株式会社
• 加熱処理装置および加熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-245624   出願人：ソニー株式会社
• ベーキング装置およびベーキング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-212753   出願人：ソニー株式会社