特許
J-GLOBAL ID：200903004387165410
電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-261766
公開番号（公開出願番号）：特開平9-107092
出願日： 1995年10月09日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：
【要約】【課題】 ドレイン電流の上づまりがなく、しかもゲート耐圧が高い電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 GaAs基板51上に積層され、その上面にソース電極58及びドレイン電極59が形成されたGaAsキャップ層57をエッチングしてリセス60を形成し、露出したアンドープAlGaAs層56にゲート電極を埋め込んだ電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極11のアンドープAlGaAs層5に埋め込まれた部分のゲート長方向の長さが、深くなるほど短くなるように、ドレイン電極側に傾斜を設けた。
請求項（抜粋）：
ゲート電極とドレイン電極とを有し、前記ゲート電極が表面の化合物半導体層に埋め込まれた電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート電極及び前記化合物半導体層のうちの一方を、前記ゲート電極の前記ドレイン電極側に生じる電界の集中を緩和する形状としたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
