特許
J-GLOBAL ID：200903004431528364

フラッシュメモリを有する電子機器

発明者：
小谷 信二

小谷 信二 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 土井 健二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-273231
公開番号（公開出願番号）：特開2000-099405
出願日： 1998年09月28日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】フラッシュメモリのプログラム動作中や消去動作中において、停電や動作エラーが発生しても、システム復帰時に停電やエラー発生直前の動作状態を容易に検出することができる電子機器を提供する。【解決手段】本発明は、フラッシュメモリを内蔵する電子機器において、フラッシュメモリとそれを制御する制御部とを接続するバスの情報を、所定のタイミングで記録する補助不揮発性メモリを有する。この補助不揮発性メモリは、好ましくは、フラッシュメモリよりも高速書き込みが可能なメモリであり、例えば、FeRAM(Ferroelectric RAM)が実際的な例である。FeRAMは、強誘電体の分極作用を利用したメモリであり、通常は、DRAMと同様に動作し、電源がオフになっても記録されたデータは保持される。しかも、その書き込みに要する時間は、従来のフラッシュメモリで使用されるフローティングゲート型のMOSトランジスタからなる不揮発性メモリよりも高速である。
請求項（抜粋）：
不揮発性メモリからなるフラッシュメモリと、バスを介して前記フラッシュメモリに接続され、前記バスを介して制御コマンドを供給し前記フラッシュメモリを制御する制御部とを有する電子機器において、前記フラッシュメモリより書き込み動作が速い補助不揮発性メモリを有し、前記制御部は、所定のタイミングで、前記補助不揮発性メモリに前記バスの情報を記憶することを特徴とするフラッシュメモリを有する電子機器。
IPC (2件)：
G06F 12/16 310 ,  G11C 16/02
FI (2件)：
G06F 12/16 310 A ,  G11C 17/00 601 T
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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