半導体加速度センサ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-211089
公開番号（公開出願番号）：特開平10-054843
出願日： 1996年08月09日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】加速度±1G程度の小さい加速度を精度良く検出する構成でありながら、基板側からの応力による悪影響を極力防止できるようにする。【解決手段】センサチップ23は、3.6mm角のシリコン製で、フレーム24に4つの梁部25a〜25dを介して重り部26を支持する構成に形成される。梁部25a〜25dにはピエゾ抵抗効果を有する拡散抵抗が形成され、ブリッジ接続される。センサチップ23は、1.75mmの厚さ寸法のシリコン台座22を介してセラミック基板21に接着剤27により接着固定される。接着剤27には、シリコーン樹脂からなるベース接着剤27aに樹脂ビーズ27bが配合率0.1wt%で配合される。温度ストレス試験に対してセンサチップ23が基板21側から受ける応力歪みが緩和されるので、感度変動を2%以内に低減でき、±1G程度の加速度を精度良く検出できる。

請求項（抜粋）：

加速度の検出範囲を±1G〜±2G(1Gは重力の加速度)程度としたものであって、梁部を介して重り部が支持される構成で、加速度を受けて重り部が変位すると梁部に形成した抵抗体が歪みを受けて抵抗値が変化し、これを電気的に検出してそのとき受けている加速度の大きさを検出するようにした半導体センサ素子を有する半導体加速度センサにおいて、前記半導体センサ素子を搭載する基板との間に介在され該半導体センサ素子の熱膨張係数と略同じ熱膨張係数を有する台座を設け、この台座の厚さ寸法を、所定の熱的ストレス試験の前後における前記半導体センサ素子の検出感度の変動率が所定許容値以下となるように設定したことを特徴とする半導体加速度センサ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

加速度検出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-076774 出願人：日本電装株式会社
半導体力学センサ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-246357 出願人：日本電装株式会社
半導体加速度センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-159987 出願人：株式会社フジクラ

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