特許
J-GLOBAL ID：200903004458130338

シリコン基板の処理方法、その方法により処理されたシリコン基板および太陽電池

発明者：
栗本 祐司

栗本 祐司 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-027126
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241482
出願日： 2003年02月04日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：
【課題】水素照射における拡散長改善効果の高い、多結晶シリコン基板の欠陥不活性化方法を実現する。【解決手段】本発明のシリコン基板の処理方法は、シリコン基板の表面から水素を導入し、シリコン基板の欠陥を不活性化する処理方法であって、シリコン基板を加熱する工程と、シリコン基板を急冷する工程と、シリコン基板の表面に水素を照射する工程とを含むことを特徴とする。シリコン基板を加熱する工程においては、赤外線、マイクロ波もしくは電子線の照射による加熱方法、または、電流による抵抗加熱方法のいずれかを用いることが好ましい。一方、シリコン基板の表面に水素を照射する工程においては、触媒CVD法または水素プラズマ処理法を用いることが好ましい。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
シリコン基板の表面から水素を導入し、シリコン基板の欠陥を不活性化する処理方法であって、 シリコン基板を加熱する工程と、 前記シリコン基板を急冷する工程と、 前記シリコン基板の表面に水素を照射する工程と を含むことを特徴とするシリコン基板の処理方法。
IPC (3件)：
H01L21/324 ,  H01L21/322 ,  H01L31/04
FI (4件)：
H01L21/324 X ,  H01L21/324 P ,  H01L21/322 Z ,  H01L31/04 H
Fターム (4件)：
5F051AA03 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14 ,  5F051GA20
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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