特許

J-GLOBAL ID：200903004465403404

電界効果型センサ

発明者： 西口 克彦 ,  藤原 聡
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-144199
公開番号（公開出願番号）：特開2009-288214
出願日： 2008年06月02日
公開日（公表日）： 2009年12月10日
要約：

【課題】ノイズが存在する環境においても、ISFET型の電界効果型センサにより目的とする物質をより正確に検出できるようにする。【解決手段】複数のイオン感応型電界効果トランジスタ(ISFET)101および各ISFET101に共通に設けられてISFET101の各々のチャネルに容量接続した検出対象の物質が付着する物質固定部102を備える。ISFET101は、バックゲート111,ソース112,およびドレイン113を備える。また、本実施の形態における電界効果型センサは、ISFET101の各々に共通のゲート電圧をバックゲート11に印加するゲート電圧印加部103、および,ISFET101の各々のソース112とドレイン113との間電流を検出する検出部104を備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

バックゲートを備える複数のイオン感応型電界効果トランジスタと、 前記電界効果トランジスタの各々に共通に設けられて前記イオン感応型電界効果トランジスタの各々のチャネルに容量接続した検出対象の物質が付着する物質固定部と、 前記イオン感応型電界効果トランジスタの各々に共通のゲート電圧を前記バックゲートに印加するゲート電圧印加手段と、 前記イオン感応型電界効果トランジスタの各々のソース・ドレイン間電流を検出する検出手段と を少なくとも備えることを特徴とする電界効果型センサ。

IPC (2件)：

G01N 27/414 ,  G01N 27/00

FI (6件)：

G01N27/30 301X ,  G01N27/30 301R ,  G01N27/30 301Y ,  G01N27/30 301U ,  G01N27/30 301L ,  G01N27/00 J

Fターム (9件)：

2G060AA01 ,  2G060AE19 ,  2G060AF07 ,  2G060AG06 ,  2G060AG08 ,  2G060DA12 ,  2G060DA33 ,  2G060HC07 ,  2G060HC10

引用特許：

審査官引用 (5件)

• トランジスタによる分子検出装置および方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-537156   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• ガスセンサ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-521493   出願人：ミクロナスゲーエムベーハー, アルベルト-ルートヴィッヒ-ユニベルジテートフライブルク
• バイオセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-101309   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体イオンセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-363959   出願人：松下電工株式会社
• ISFETアレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-219075   出願人：株式会社堀場製作所