特許

J-GLOBAL ID：200903004485270702

人工網膜

発明者： 木村 睦 ,  中西 孝 ,  神谷 利夫
出願人/特許権者： 学校法人 龍谷大学 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-128621
公開番号（公開出願番号）：特開2009-273712
出願日： 2008年05月15日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：

【課題】受光素子、画像処理回路及び刺激電極を3次元的に基板上に配置して、画素の微細化及び効果的な電極刺激を実現しながら、照度信号を困難なく視神経細胞に伝達する。【解決手段】人工網膜1は、基板5に入射する入射光を画像信号に変換するために基板5上に形成されたポリシリコン薄膜フォトトランジスタ5と、ポリシリコン薄膜フォトトランジスタ5によって入射光から変換された画像信号を処理するためにポリシリコン薄膜フォトトランジスタ5の上に形成された透明な酸化物半導体TFT3と、酸化物半導体TFT3によって処理された画像信号を視神経細胞に伝達するために酸化物半導体TFT3の上に形成された刺激電極4とを備える。 【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板に入射する入射光を画像信号に変換するために前記基板上に形成された受光素子と、 前記受光素子によって前記入射光から変換された画像信号を処理するために前記受光素子の上に形成された透明な半導体薄膜トランジスタと、 前記半導体薄膜トランジスタによって処理された画像信号を視神経細胞に伝達するために前記半導体薄膜トランジスタの上に形成された刺激電極とを備えたことを特徴とする人工網膜。

IPC (1件)：

A61F 2/14

FI (1件)：

A61F2/14

Fターム (8件)：

4C097AA24 ,  4C097BB01 ,  4C097CC02 ,  4C097DD02 ,  4C097DD03 ,  4C097DD06 ,  4C097FF10 ,  4C097SA10

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 人工網膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-234610   出願人：セイコーエプソン株式会社, 学校法人龍谷大学
• 人工網膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-262746   出願人：学校法人龍谷大学, 国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学