特許

J-GLOBAL ID：200903004495500072

不揮発性記憶素子及び半導体集積回路装置

発明者： 宿利 章二
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-041612
公開番号（公開出願番号）：特開2005-184029
出願日： 2005年02月18日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

【課題】 絶縁性電荷トラップ膜を電荷蓄積領域とする不揮発性記憶素子のトンネル消去を可能とし、特性劣化を防止する。【解決手段】 電荷トラップ膜(4)を電荷保持に用いる不揮発性記憶素子であって、半導体領域にソース領域(8)、ドレイン領域(7)、及びそれらの間のチャネル領域(9)とが形成され、前記チャネル領域上に第1絶縁膜(2)が設けられ、前記第1絶縁膜上に半導体膜(3)が設けられ、前記半導体膜上に前記電荷トラップ膜である第2絶縁膜が設けられ、前記第2絶縁膜上にゲート電極(6)が設けられ、前記第2絶縁膜は金属酸化膜で構成される。前記電荷トラップ膜が保持する電子を放出する動作をトンネルによって行っても第1絶縁膜に電子が第1絶縁膜に残存する事態を阻止することができる。ホットホール注入による消去を要しない。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

電荷トラップ膜を電荷保持に用いる不揮発性記憶素子であって、 半導体領域にソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャネル領域とが形成され、 前記チャネル領域上に第1絶縁膜が設けられ、 前記第1絶縁膜上に半導体膜が設けられ、 前記半導体膜上に前記電荷トラップ膜である第2絶縁膜が設けられ、 前記第2絶縁膜上にゲート電極が設けられ、 前記第2絶縁膜は金属酸化膜で構成されることを特徴とする不揮発性記憶素子。

IPC (4件)：

H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

FI (2件)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

Fターム (46件)：

5F083EP17 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP77 ,  5F083ER02 ,  5F083ER19 ,  5F083ER30 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083KA05 ,  5F083KA13 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA07 ,  5F083LA10 ,  5F083MA03 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR12 ,  5F083PR29 ,  5F083PR36 ,  5F083PR43 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR55 ,  5F101BA45 ,  5F101BA54 ,  5F101BB05 ,  5F101BC11 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BD35 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BH03 ,  5F101BH19 ,  5F101BH21

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許第5,768,192号明細書
  
• 米国特許第6,011,725号明細書
  
• 米国特許第5,966,603号明細書
  
• 米国特許第6,180,538号明細書
  

審査官引用 (5件)

• 不揮発性記憶素子及び半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-257698   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭48-086485
  
• 半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-116394   出願人：日本電気株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-347480   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭48-086485