半導体レーザ素子及び製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大澤斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-064831
公開番号（公開出願番号）：特開2003-264342
出願日： 2002年03月11日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：

【要約】【課題】リーク電流が抑制され、かつ静電容量が小さい構成のSDH型半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】本半導体レーザ素子40は、SDH型半導体レーザ素子であって、以下のことを除いて、従来のSDH型半導体レーザ素子と同じ構成を備えている。半導体レーザ素子40では、アンドープ・GaInP第2クラッド層42が、リッジ14上の積層構造21のn型AlGaAsクラッド層16の上部、活性層18、及びp型第1クラッド層20を埋め込むように、積層構造21上及びp型第1クラッド層20a上に設けられている。アンドープ・GaInP第2クラッド層42上には、積層構造21のp型第1クラッド層20の頂部上に開口44を有する絶縁層46が設けられている。絶縁層46の開口44を介して積層構造21のp型第1のクラッド層20の頂部を露出させる溝状部48が設けられ、p型の第1のクラッド層20と接触するように溝状部48を埋める金属膜がp側電極50として設けられている。

請求項（抜粋）：

{100}結晶面を主面とする基体上に、基体の<011>結晶軸方向に延在し、上面に{100}面を有するリッジと、少なくとも第1導電型のクラッド層、活性層、及び第2導電型の第1クラッド層を有し、リッジの{100}上面の両端縁から基体と反対方向に延びる{111}B結晶面を対の斜面とする断面三角形状にリッジ上に形成された積層構造と、少なくとも第1導電型のクラッド層、活性層、第2導電型の第1のクラッド層、及び活性層より屈折率の小さいアンドープ・第2クラッド層からなる、基体上に形成された積層構造であって、活性層の両側面を全面にわたりアンドープ・第2クラッド層に接触させてリッジ及びリッジ上の積層構造を埋め込む、埋め込み積層構造と、アンドープ・第2クラッド層上に形成され、リッジ上の積層構造上に開口を有する絶縁層と、アンドープ・第2クラッド層に設けられ、絶縁層の開口を介してリッジ上の積層構造の第2導電型の第1クラッド層の一部を露出させる溝状部と、溝状部を埋めてリッジ上の積層構造の第2導電型の第1クラッド層と電気的に接続する電極とを有することを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/227 , H01S 5/323

FI (2件)：

H01S 5/227 , H01S 5/323

Fターム (7件)：

5F073AA11 , 5F073AA13 , 5F073AA22 , 5F073CA04 , 5F073CB02 , 5F073EA14 , 5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (16件)

特開平4-318991
半導体レーザの製造方法,及び半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-147602 出願人：三菱電機株式会社
特開昭64-059981

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