特許
J-GLOBAL ID：200903004517524086

半導体装置の作製方法及び不揮発性半導体記憶装置の作製方法

発明者：
掛端 哲弥

掛端 哲弥 について

, 
横井 智和

横井 智和 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-183835
公開番号（公開出願番号）：特開2008-047884
出願日： 2007年07月13日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：
【課題】絶縁耐圧の良好な絶縁層を製造する技術を提供することを目的とする。また、絶縁耐圧の良好な絶縁層を有する半導体装置を製造する技術を提供することを目的とする。【解決手段】シリコンを主成分とする半導体層若しくは半導体基板に対して高密度プラズマ処理を行うことにより、半導体層の表面若しくは半導体基板の上面に絶縁層を形成する。このとき、供給ガスを希ガス、酸素及び水素を含むガスから希ガス及び酸素を含むガスに途中で切り替えて高密度プラズマ処理を行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にシリコンを主成分とする半導体層を形成し、 前記半導体層に対して、供給ガスを希ガス、酸素及び水素を含むガスとして高密度プラズマ処理を行い、前記供給ガスを希ガス及び酸素を含むガスに切り替えて高密度プラズマ処理を行うことにより、前記半導体層の表面に絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (14件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/10 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  G06K 19/07 ,  G06K 19/077 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092
FI (12件)：
H01L29/78 617V ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 461 ,  H01L29/78 301G ,  H01L21/316 A ,  H01L21/316 C ,  G06K19/00 H ,  G06K19/00 K ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 321D
Fターム (190件)：
5B035AA04 ,  5B035BB09 ,  5B035CA23 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC04 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB13 ,  5F048BC06 ,  5F048BC16 ,  5F048BE03 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048BG12 ,  5F048BG14 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F058BA20 ,  5F058BB05 ,  5F058BB07 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF73 ,  5F058BJ01 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP34 ,  5F083EP44 ,  5F083EP45 ,  5F083EP49 ,  5F083EP50 ,  5F083EP56 ,  5F083EP57 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083EP76 ,  5F083EP77 ,  5F083ER03 ,  5F083ER05 ,  5F083ER09 ,  5F083ER14 ,  5F083ER16 ,  5F083ER19 ,  5F083ER23 ,  5F083ER30 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA10 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA31 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083NA01 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR46 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083PR56 ,  5F083ZA07 ,  5F083ZA08 ,  5F083ZA12 ,  5F101BA19 ,  5F101BA23 ,  5F101BA29 ,  5F101BA35 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BB08 ,  5F101BC02 ,  5F101BC11 ,  5F101BD07 ,  5F101BD10 ,  5F101BD22 ,  5F101BD24 ,  5F101BD30 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BD40 ,  5F101BD41 ,  5F101BE01 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF09 ,  5F101BG10 ,  5F101BH04 ,  5F101BH21 ,  5F110AA12 ,  5F110AA14 ,  5F110BB04 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF25 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL02 ,  5F110HL08 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110PP01 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ11 ,  5F140AA19 ,  5F140AB03 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BB15 ,  5F140BC06 ,  5F140BD05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE13 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF17 ,  5F140BF42 ,  5F140BG08 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BH21 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ16 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ23 ,  5F140BJ28 ,  5F140BK13 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC01 ,  5F140CC02 ,  5F140CC15 ,  5F140CC19 ,  5F140CE07 ,  5F140CE10
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
  • 特開平3-036769
  • プラズマ処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-002417   出願人：東京エレクトロン株式会社
  • 特開平3-036769
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