シリコン系薄膜の形成方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-092975
公開番号（公開出願番号）：特開2007-262551
出願日： 2006年03月30日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】基板上に形成された電子デバイスにダメージを与えることなく且つ装置構成を大掛かりなものとすることなく、基板上へのシリコン系薄膜の密着性を向上させることができ、クラックや剥離が生じ難いシリコン系薄膜を形成できるシリコン系薄膜の形成方法を提供すること。【解決手段】絶縁機能またはバリア機能を有するシリコン系薄膜を、基板K上にCVD法により形成するシリコン系薄膜の形成方法において、先ず、原料ガスとして、水素元素を含むガスと、シリコン元素を含むガスとを用い、前記基板K上にプラズマCVD法により第1薄膜11を形成し、次いで、窒素元素を含むガスと、シリコン元素を含むガスとを用い、絶縁機能またはバリア機能を有する第2薄膜12を、前記第1薄膜11上にCVD法により形成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

絶縁機能またはバリア機能を有するシリコン系薄膜を、基板上にCVD法により形成するシリコン系薄膜の形成方法において、先ず、原料ガスとして、水素元素を含むガスと、シリコン元素を含むガスとを用い、前記基板上にプラズマCVD法により第1薄膜を形成し、次いで、窒素元素を含むガスと、シリコン元素を含むガスとを用い、絶縁機能またはバリア機能を有する第2薄膜を、前記第1薄膜上にCVD法により形成することを特徴とするシリコン系薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

C23C 16/42 , C23C 16/509 , H05B 33/04 , H01L 51/50

FI (4件)：

C23C16/42 , C23C16/509 , H05B33/04 , H05B33/14 A

Fターム (15件)：

3K107AA01 , 3K107CC23 , 3K107CC25 , 3K107EE48 , 3K107EE50 , 3K107GG03 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030FA04 , 4K030JA10 , 4K030LA01 , 4K030LA11

引用特許：

出願人引用 (9件)

シリコン薄膜の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-096648 出願人：東燃株式会社
薄膜作製方法および薄膜作製装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-138348 出願人：松下電器産業株式会社
表面保護膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-402815 出願人：サムコ株式会社

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審査官引用 (6件)

表面保護膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-402815 出願人：サムコ株式会社
プラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-050247 出願人：日本電気株式会社
特表平7-504713

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