特許

J-GLOBAL ID：200903050772475546

薄膜半導体素子の製造方法

発明者： 佐々木 厚 ,  倉増 敬三郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-164306
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345450
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】 薄膜半導体素子において、ゲート絶縁膜中に含まれる水分がゲート電極膜の材料であるWと反応することにより、トランジスタ特性の負方向への変動が生じ、素子の信頼性を損なう。【解決手段】 マイクロ波の照射により、ゲート絶縁膜中の水分を除去するプロセスを導入することにより、トランジスタ特性の変動を防止する。

請求項（抜粋）：

基板上に多結晶シリコンからなる半導体膜を形成する工程、前記半導体膜に酸化珪素からなるゲート絶縁膜を形成する工程、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜および前記基板に周波数が2.4GHzから2.5GHzの電磁波を照射する工程を少なくとも有する薄膜半導体素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/316

FI (7件)：

C23C 14/06 N ,  C23C 14/34 N ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 617 M

Fターム (54件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA03 ,  4K029BA11 ,  4K029BA17 ,  4K029BA21 ,  4K029BB02 ,  4K029BC03 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA29 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA03 ,  4K030JA18 ,  4K030KA23 ,  5F058BA07 ,  5F058BB04 ,  5F058BB07 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BH17 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ10 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜トランジスタの製造方法及びアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-197658   出願人：株式会社東芝
• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-258822   出願人：株式会社東芝
• ガラス基板および加熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-279029   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所