半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-181240
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082684
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：

【要約】【課題】FSG膜を成膜する際のアスペクト比を高くしない配線構造を形成する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】金属配線109上にプラズマ気相成長法により配線保護膜用の酸化珪素膜110を形成する方法において、前記酸化珪素膜110の配線間の側壁及び底部の膜厚が配線上部の膜厚より薄くなるように、もしくは配線109上部のみに酸化珪素膜110を堆積させ、次に、前記酸化珪素膜及び金属配線を被覆する弗素添加酸化珪素膜(FSG膜)111を層間絶縁膜として半導体基板100上にプラズマ気相成長法により形成する。これにより、配線を損傷することなくボイド無しに埋め込みが可能である。また、配線間の側壁及び底部の配線保護膜を薄くするか無くすので、配線間容量の増加を抑制することも可能になる。

請求項（抜粋）：

内部に半導体素子が形成された半導体基板上に設けられている第1の絶縁膜上に前記半導体素子に電気的に接続された金属配線を形成する工程と、前記金属配線の配線保護膜として用いられる酸化珪素膜を前記半導体基板上にプラズマ気相成長法により堆積させる工程と、前記金属配線を被覆するように、前記第1の絶縁膜上に弗素添加酸化珪素膜からなる第2の絶縁膜をプラズマ気相成長法により形成する工程とを備え、前記配線保護膜の配線間の側壁及び底面に堆積された部分の厚さは、前記金属配線の上面に堆積された部分の厚さより薄いことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/285 C , H01L 21/316 M , H01L 21/90 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-292107 出願人：住友金属工業株式会社
半導体デバイスおよび半導体ウエハ上の金属導線を絶縁する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-224016 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-339565 出願人：株式会社リコー

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