特許
J-GLOBAL ID：200903004563169509
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-327608
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162973
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 MOS型半導体集積回路装置の駆動速度を遅くすることなく、信頼性を確保し、同一基板上に複数の膜厚のゲート酸化膜を形成する方法を提供すること。【解決手段】 シリコン基板10上にホトレジスト12でパターンを形成し、熱酸化速度を速くするためのイオンを選択的に注入する。ホトレジスト12を除去した後、熱酸化を行う。次に、SiO2 膜16上に多結晶シリコン膜18を成長し、パターンを形成することによって異なるSiO2 膜厚のMOSFETのゲート酸化膜を同時に形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に選択的に、熱酸化速度を速くするためのイオン注入を行い同一基板上に複数の膜厚の酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/265
H01L 21/316 S
, H01L 21/265 J
, H01L 21/265 Q
