特許
J-GLOBAL ID：200903004572852980
半導体光結合回路及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-322666
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087844
出願日： 1997年11月25日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 大きなサイドエッチングによる光結合面の窪み或いは突起状の形状による光学的、形状的な問題を解決するにある。【解決手段】 InxGa1-xAsyP1-y(0≦x≦1,0≦y≦1)混晶54から構成され、少なくとも一つのコア層58を有する複数の光導波路が、該光導波路の光の導波方向に縦列に接続された光結合回路において、少なくとも一つの光導波路がInxGayAlzAs1-y-z(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)混晶を含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
InxGa1-xAsyP1-y(0≦x≦1,0≦y≦1)混晶から構成され、少なくとも一つのコア層を有する複数の光導波路が、該光導波路の光の導波方向に縦列に接続された光結合回路において、少なくとも一つの光導波路がInxGayAlzAs1-y-z(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)混晶を含むことを特徴とする半導体光結合回路。
引用特許：
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