特許
J-GLOBAL ID：200903004595431353

軟磁性膜の製造方法と、この軟磁性膜を用いた平面型磁気素子、フィルタ、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法

発明者：
佐々木 義人

佐々木 義人 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について


代理人 (1件)： 野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-175369
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358030
出願日： 2000年06月12日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：
【要約】従来では、Fe-M-O膜等の酸素を含有する軟磁性膜を反応性スパッタ法等により形成したが、この方法では再現性が悪く、組成比や膜厚等にばらつきがあった。【解決手段】 元素T(TはFe,Ni,Co)の酸化物の粉末a、及び元素M(MはHfやZr等)の酸化物の粉末bを混ぜ合わせ、焼結してターゲット2を形成することで、前記ターゲット2をスパッタすることにより形成できる軟磁性膜11を組成比や膜厚にばらつきがなく再現性良く形成でき、歩留まりの向上を図ることができる。また組成比や膜厚のばらつきを少なくできることで、磁気的または電気的なばらつきをなくすことが可能である。
請求項（抜粋）：
Fe,Co,Niのうち1種または2種以上の元素Tの酸化物からなる粉末aと、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Mo,W,Al,Si,Cr,P,C,B,Ga,Geと希土類元素から選ばれる1種または2種以上の元素Mの酸化物からなる粉末bとを焼結してターゲットを形成し、前記ターゲットと対向する位置に基板を配置し、前記ターゲットをスパッタして前記基板上に、元素Tと元素Mと酸素とを含有する軟磁性膜を成膜することを特徴とする軟磁性膜の製造方法。
IPC (7件)：
H01F 41/18 ,  C22C 1/05 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  G11B 5/31 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16
FI (8件)：
H01F 41/18 ,  C22C 1/05 J ,  C23C 14/06 T ,  C23C 14/34 A ,  G11B 5/31 C ,  G11B 5/31 M ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16
Fターム (27件)：
4K018AD09 ,  4K018BA01 ,  4K018BA02 ,  4K018BA03 ,  4K018BA04 ,  4K018BA11 ,  4K018BA14 ,  4K018DA11 ,  4K018KA29 ,  4K029BA50 ,  4K029BB08 ,  4K029BB10 ,  4K029BC06 ,  4K029BD03 ,  4K029BD04 ,  4K029CA05 ,  4K029DC09 ,  5D033BA02 ,  5D033DA03 ,  5D033DA22 ,  5D033DA31 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049BA12 ,  5E049BA14 ,  5E049GC02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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