特許
J-GLOBAL ID：200903004638553458
強誘電体半導体メモリ装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-052230
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324897
出願日： 2002年02月27日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、疲労特性や劣化や信頼性が改善された強誘電体ランダムアクセスメモリ装置の提供を目的とする。【解決手段】 本発明の強誘電体ランダムアクセスメモリ装置は、下部電極と、PZT膜と、SrRuO3を含む上部電極の積層により形成された強誘電体キャパシタを有し、PZT膜は、約17個/μm2以下の密度のピンホールを含む。
請求項（抜粋）：
活性層が設けられた基板と、該活性層と電気接続され、該基板に設けられた下部電極と、少なくともPb、Zr及びTiを含み、下面から上面へ連続的に広がって柱状微構造を形成する多数の結晶粒子を含み、該結晶粒子はピンホールを有する、ペロブスカイト型の強誘電体膜と、該強誘電体膜に設けられ、Sr及びRuを含有するペロブスカイト型の導電酸化物膜の上部電極と、を備え、該強誘電体膜は、Ca及びSrを更に含有し、該強誘電体膜は、1μm2当たり34個を超えない密度でピンホールが設けられている、強誘電体ランダムアクセスメモリ装置。
IPC (2件)：
H01L 27/105
, H01L 21/316
H01L 21/316 Y
, H01L 27/10 444 B
5F058BA11
, 5F058BC03
, 5F058BF12
, 5F058BH03
, 5F083FR02
, 5F083GA21
, 5F083JA15
, 5F083JA38
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083JA45
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083NA08
, 5F083PR22
, 5F083PR33
