特許

J-GLOBAL ID：200903004646059454

薄膜形成用合金、金属焼結体およびその用途

発明者： 本松 徹 ,  鈴木 光悦 ,  黒澤 聡 ,  満 俊宏
出願人/特許権者： ジオマテック株式会社 ,  東ソー株式会社
代理人 (1件)： 白井 重隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-383330
公開番号（公開出願番号）：特開2001-234267
出願日： 2000年12月18日
公開日（公表日）： 2001年08月28日
要約：

【要約】【課題】 Cr/Cr化合物と同等以上の光学特性および耐久性(パターニング性、エッチング特性、耐熱性および耐湿性)を有する遮光膜を有する基板、または遮光層と吸収層とからなる低反射膜を有する基板を提供すること。【解決手段】 実質的にNiおよびVからなり、Vを原子比で26〜52%含有している薄膜形成用合金または金属焼結体からなるスパッタリングターゲットを用い、NiとVの酸化物、窒化物若しくは酸窒化物のいずれか一つの薄膜を形成してなる遮光膜付き基板、または、NiとVとの酸化物、窒化物または酸窒化物の薄膜のいずれか一層以上を積層した吸収層と、NiとVとの合金、またはNiとVとの酸化物、窒化物若しくは酸窒化物の薄膜のいずれか一層を積層した遮光層とを、この順に積層して、低反射膜付き基板とする。

請求項（抜粋）：

実質的にニッケルおよびバナジウムからなり、バナジウムを原子比で26〜52%含有していることを特徴とする薄膜形成用合金。

IPC (9件)：

C22C 19/03 ,  C03C 17/09 ,  C03C 17/34 ,  C03C 17/36 ,  C22C 1/04 ,  C22C 27/02 101 ,  C23C 14/34 ,  G02B 5/00 ,  G02B 5/20 101

FI (10件)：

C22C 19/03 Z ,  C03C 17/09 ,  C03C 17/34 Z ,  C03C 17/36 ,  C22C 1/04 B ,  C22C 1/04 E ,  C22C 27/02 101 Z ,  C23C 14/34 A ,  G02B 5/00 B ,  G02B 5/20 101

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 低水素過電圧陰極およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-054712   出願人：東ソー株式会社
• 音響記録を型どるためのマスター及びその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-061334   出願人：バルツァースウントライボルトドイチュラントホールディングアクチエンゲゼルシャフト
• 遮光層付き基板及びその製造方法及びカラーフィルタ基板及び液晶表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-174729   出願人：旭硝子株式会社