特許
J-GLOBAL ID:200903004650616040

光電変換素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 梶山 佶是 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-335651
公開番号(公開出願番号):特開2001-345126
出願日: 2000年11月02日
公開日(公表日): 2001年12月14日
要約:
【要約】【課題】 電解液の液漏れを起こさず、かつ優れた光電変換効率を長期に渡り維持することが可能な光電変換素子を提供する。【解決手段】 少なくとも、一方の面上に半導体層が被着された電極と、この電極の前記半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記半導体層と対電極との間に配置された電解質層を有する光電変換素子において、前記電解質層を、ポロシティーが30%〜80%の多孔質支持体と、該多孔質支持体内に充満された電解液とから構成する。多孔質支持体にはその平面部面積の40%〜70%の範囲内で貫通開口部を配設することができる。
請求項(抜粋):
少なくとも、一方の面上に半導体層が被着された電極と、この電極の前記半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記半導体層と対電極との間に配置された電解質層を有する光電変換素子において、前記電解質層が、多孔質支持体と、該多孔質支持体内に充満された電解液とから構成されていることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件):
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2件):
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
Fターム (11件):
5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC06 ,  5H032CC16 ,  5H032EE01 ,  5H032EE04 ,  5H032EE08 ,  5H032EE16 ,  5H032HH01 ,  5H032HH04
引用特許:
審査官引用 (9件)
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