特許
J-GLOBAL ID：200903004667404011
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-059999
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260751
出願日： 1998年03月11日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】従来のSOI基板で問題になっていた放熱の問題の抜本的な解決をはかる。【解決手段】単結晶半導体基板中の一定の深さ領域にガスを含有する構造を有する事を特徴とする。または該ガスを含有する領域のかわりに該空隙を基板外に通ずるような構造を用いるようにする。【効果】従来のSOI基板で問題になっていた放熱の問題の抜本的な解決がはかれた。さらに従来のSOI構造よりも寄生容量が小さくなるため、より高速な素子、配線の実現が可能になった。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン基板の特定の深さの特定の区画に、気体を含有する空隙を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/265
, H01L 21/764
, H01L 27/12
H01L 21/265 J
, H01L 27/12 E
, H01L 21/265 Q
, H01L 21/76 A
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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