半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-350612
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210833
出願日： 2000年11月17日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】信頼性の高い半導体装置を実現することを目的とする。【解決手段】ゲート配線の側面および上面に電解めっき法により金属膜を析出させ、この金属膜をゲート絶縁膜を介してLDD領域と重ねたGOLD構造にすることにより、信頼性の高い半導体装置を実現する。

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁膜上にゲート配線を有し、前記ゲート配線の側面および上面に膜厚の等しい金属膜を有しているTFTを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (11件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 , H01L 21/20 , H01L 21/3205 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/08 331 , H01L 29/43 , H01L 21/336

FI (12件)：

G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 Z , H01L 21/20 , H01L 27/08 331 E , H01L 29/78 617 L , G02F 1/136 500 , H01L 21/88 R , H01L 27/08 321 D , H01L 29/62 G , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 617 J , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-204605 出願人：三洋電機株式会社
薄膜トランジスタ装置及び薄膜トランジスタ装置の製造方法並びに液晶表示装置用アレイ基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-237061 出願人：株式会社東芝
特開平1-205569

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