特許
J-GLOBAL ID：200903004694546103
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山田 義人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-348228
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174384
出願日： 1998年12月08日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【構成】 第1上部クラッド層20の上方のリッジ部26を形成した領域以外の領域に可飽和吸収層28を形成しているため、光導波路18aから可飽和吸収層28までの最短距離が長くなり、光導波路18aで発生した熱が可飽和吸収層28へ伝わり難くなる。したがって、可飽和吸収層28にドーピングされたp型ドーパントの光導波路18aへの熱拡散は生じない。【効果】 レーザ特性の劣化を招くことなく、自励発振現象を安定して生じさせることができる。
請求項（抜粋）：
基板の上に下部クラッド層,活性層および第1上部クラッド層を順に形成し、前記第1上部クラッド層の上に第2上部クラッド層を有するリッジ部を形成するとともにこれを挟むようにして電流ブロック層を形成し、前記活性層から上方へ所定距離を隔てた位置に前記活性層で生じた光を吸収する可飽和吸収層を形成した、半導体レーザ装置において、前記第1上部クラッド層の上方の前記リッジ部を形成した領域以外の領域に前記可飽和吸収層を形成したことを特徴とする、半導体レーザ装置。
Fターム (6件)：
5F073AA13
, 5F073AA51
, 5F073AA53
, 5F073CA14
, 5F073EA01
, 5F073EA27
