半導体レーザ素子およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-011703
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270563
出願日： 1997年01月24日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】自励発振型半導体レーザ素子において、強い自励発振を実現するために可飽和吸収効果を十分に大きくすると、レンズとの結合効率の変化、高出力状態における信頼性の悪化、動作電流の増大など、半導体レーザ素子の動作特性が劣化する。【解決手段】第1の導電型の半導体基板1と、該半導体基板1の上に形成されて少なくとも該第1の導電型の第1クラッド層3と活性層4と第2の導電型の第2クラッド層5とを含む積層構造と、該積層構造の上に形成されてストライプ状領域を有する電流ブロック機能体と、該ストライプ部及び該電流ブロック機能体を埋めるように形成されている該第2の導電型の第3クラッド層12と、を含む半導体レーザ素子において、該電流ブロック機能体が該活性層4の禁制帯幅と略等しい禁制帯幅を有する可飽和吸収層9を含むように構成する。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の半導体基板と、該半導体基板の上に形成され、第1の導電型の第1クラッド層と活性層と第2の導電型の第2クラッド層とを少なくとも含む積層構造と、該積層構造の上にストライプ状領域を有して形成されている電流ブロック機能体と、該ストライプ部及び該電流ブロック機能体を埋めるように形成されている第2の導電型の第3クラッド層とを含む半導体レーザ素子であって、該電流ブロック機能体は、該活性層の禁制帯幅と略等しい禁制帯幅を有する可飽和吸収層を少なくとも含んでいる半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭61-171186
特開昭61-171186
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-115762 出願人：三洋電機株式会社

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